专利简介：

近年来，层状氧硫族化合物作为一种特殊的准二维(2D)层状材料被证明具有超高的电子迁移率、合适的光学带隙和可靠的环境稳定性，在高速和低功耗器件中具有巨大的潜力。但是，器件制备成本高、环境稳定性低和不可避免的质量缺陷。新型层状氧硫族化合物Bi9O7 .5S6和FeOCuS块体样品的光电性能仍无法满足实际应用需求。

本发明提供一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，通过将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，实现了层状氧硫族化合物光电性能的大幅提升。

授权公告号：CN114420785B

申请号：2021115833075

专利权人：上海应用技术大学

第一发明人：吉林大学材料科学与工程学院张刚华博士

联系电话：0356-8882653