专利简介：

传统的化学气相沉积CVD法通常是将金属基粉末平铺在CVD合成区域中，导致下层的粉末与碳源的接触面积减少，从而造成CNTs分布不均匀，降低了CNTs复合效果。

本实用新型提供一种化学气相沉积装置，能够有效改善粉末与碳源的接触面积，从而提高CNTs在粉末上的复合质量。

授权公告号：CN222160349U

申请号：2024208663435

专利权人：上海理工大学

第一发明人：上海理工大学材料与化学学院周洪雷博士

联系电话：0356-8882653